| Características | - Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND TLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Memoria caché: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Auto Garbage Collection Algorithm
- Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escritura secuencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,600,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Entorno
- Consumo energético medio: 6.5- 8.6 W
- Consumo energético (Idle): Max. 55 mW
- Voltaje soportado: 3.3 V ± 5 %
- Durabilidad (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura: 0 - 70ºC
- Golpes: 1,500 G & 0.5 ms
Dimensiones y peso
- 80 x 22 x 2.3 mm
- 9.0g |
